۱۲ خرداد ۱۳۸۸، ۱۱:۰۰

موفقیت محققان کشور /

کاهش توان مصرفی مدارها با طراحی ضرب کننده کوانتمی در فناوری نانو

کاهش توان مصرفی مدارها با طراحی ضرب کننده کوانتمی در فناوری نانو

پژوهشگران کشور موفق شدند مدار ضرب‌کننده کوانتومی در مقیاس نانو را طراحی کنند که نسبت به طرحهای مشابه موجود در بسیاری موارد از جمله ارزش کوانتمی و تعداد قطعات مصرفی ابزارهای نانو الکترونیک بهبود یافته است.

به گزارش خبرگزاری مهر، مهندس مجید حق پرست مجری طرح کاهش حجم سخت افزاری و تعداد قطعات در طراحی مدارهای کوانتمی، کاهش تعداد خروجیهای بدون استفاده در مدارهای کوانتمی، کاهش توان مصرفی مدارهای مختلف و معرفی دروازه های کوانتمی و برگشت پذیر جدید را از اهداف این پژوهش بیان کرد و گفت: با توجه به آنکه افزایش تعداد ترانزیستورها در سطح ثابتی از تراشه طبق تئوری "مور" در سالهای آتی با محدودیتهایی از جمله مشکل دفع حرارت روبرو خواهد شد، فناوریهای ساخت مدارهای پردازنده نیاز به تحولی شگرف خواهد داشت. در این راستا و برای رفع مشکل دفع حرارت باید به سراغ مدارهای کوانتمی در فناوری نانو برویم.

وی در این پژوهش مدار ضرب کننده ای با فناوری نانو ارائه داد که در قسمتهای تولید حاصل ضربهای جزئی و تولید حاصل جمع نهایی در تراشه های الکترونیکی نسبت به طرحهای موجود بهبود یافته است.

حق پرست اضافه کرد: پیش بینی می شود که تا سال 2016 به یک محدودیت اساسی در دفع حرارت از مدارهای مجتمع برسیم. به دلیل عدم پیشرفتهای فیزیکی لازم پیاده سازی این مدارها در حال حاضر امکانپذیر نیست.

مجری طرح به کاربردهای این طرح اشاره کرد و اظهار داشت: از این طرح‌ می توان در کامپیوترهای کوانتومی، سیستمهای نانو الکترونیکی و موبایلهای نسل آینده استفاده کرد. همچنین تمام موسسات ساخت IC، رایانه و گوشیهای تلفن همراه نسل آینده و همچنین موسسات پژوهشی که روی سیستمهای مبتنی بر فناوری نانو کار می کنند می توانند از این طرح استفاده کنند.

کد خبر 889581

نظر شما

شما در حال پاسخ به نظر «» هستید.
  • نظرات حاوی توهین و هرگونه نسبت ناروا به اشخاص حقیقی و حقوقی منتشر نمی‌شود.
  • نظراتی که غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط با خبر باشد منتشر نمی‌شود.
  • captcha